Задача id14279

При приложении к полупроводниковому диоду обратного смещения ток через диод обладает свойством насыщения. Каков механизм возникновения этого тока Как изменится ток насыщения при понижении температуры от 20 до 0°С Диод изготовлен из материала с шириной запрещенной зоны Еg = 0,7 эВ.